（来源：半导体芯情）
存储芯片涨价已经成为全民热门话题，存储短缺的预计持续时间继续拉长。
日前，国家发改委价格监测中心发文称，“当前，存储芯片正处于上涨周期。年内来看，在AI服务器算力需求持续增长的带动下，全球存储芯片市场供不应求局面仍将持续，存储芯片价格将延续上涨态势。存储芯片价格上涨正逐步传导至消费电子终端产品。”
据报道，韩国SK集团董事长崔泰源近日在英伟达GTC大会上表示，由于芯片生产存在系统性瓶颈，预计全球内存芯片短缺的情况很可能会持续到2030年，其中DRAM、NAND和HBM等各类存储芯片的价格将持续上涨，涨势可能会持续较长时间。
分析师表示，目前全球的大厂将产能转向高端HBM等产品，导致全行业供给紧张，价格大幅普涨。A股企业虽不生产最先进晶圆，但因国际大厂让出了市场空间而供求紧张，这些企业通过低价库存重估、产品提价及封测服务涨价，在产业链传导中显著受益。作为全球最大的存储芯片制造商，三星电子的产能波动直接影响全球半导体市场走向。
存储芯片短缺和人工智能快速发展密不可分。全球存储芯片市场本就因AI数据中心建设升温处于供应趋紧状态，三星电子罢工无疑将加剧这一局势。公开资料显示，三星电子在全球存储芯片市场份额高达43%，其中DRAM产品市占率更是达到60%。惠誉评级亚太区企业评级董事张惠媛表示，三星电子罢工风险、产能扩张受控以及先进制程迁移挑战，将让存储芯片市场持续紧俏。
存储芯片的行情从美光财报也看出来，该公司业绩非常不错。
美东时间3月18日，美光科技发布2026财年第二季度财报，交出了一份创下多项历史纪录的亮眼成绩单。
美光高管在财报电话会上表示，受AI需求持续爆发、业内存储产品供应紧张以及公司先进技术量产落地的多重利好推动，美光第二财季营收、毛利率、自由现金流等核心财务指标均刷新历史峰值，各产品线、各业务板块全面开花，同时公司发布的第三季度业绩指引再度大幅超预期。
美光高管还提到，当前存储芯片行业处于供应短缺状态，且这种状况将持续至2026年以后，这为短期和中期的产品定价提供了坚实支撑。在旺盛需求驱动下，美光签署了首份五年期战略客户协议。
高管透露，美光专为英伟达 Vera Rubin 设计的HBM4 已批量出货，下一代产品HBM4E 研发顺利，有望2027年量产。同时，为了满足客户的强劲需求，美光将在未来两个财年内大幅加码资本支出，以兴建厂房和购买设备，从而提振产能。美光科技表示，AI服务器需求持续强劲，人工智能和其他服务器需求受制于存储芯片供应。美光科技预计在2027财年大幅增加研发投资。美光预计第三季度营收中值为335亿美元（较分析师预期高出逾40%），非GAAP EPS中值为19.15美元，并预计毛利率将进一步攀升至约81%。
美光云存储与核心数据中心业务合计贡献超134亿美元营收，占总营收半壁江山，实现了显著的“量价齐升”。
美光宣布将本财年资本支出指引上调25%至250亿美元，预计下财年支出将增加超100亿美元。
一、美光核心产品线业绩
1.DRAM：营收 188 亿美元，同比 + 207%、环比 + 74%；定价环比涨 65%-67%，位出货量中个位数增长，1γ DRAM 量产速度创公司历史最快，2026 年年中将成量产主力。
2.NAND：营收 50 亿美元，同比 + 169%、环比 + 82%；定价环比涨 75%-79%，位出货量低个位数增长；G9 NAND 按计划推进，2026 年年中将成量产主力，数据中心 NAND 营收环比翻倍创纪录。
3.高端产品：HBM4 已批量出货（专为英伟达 Vera Rubin 设计），HBM4E 研发顺利，2027 年量产；基于 G9 NAND 的 PCIe Gen6 SSD 实现高量产，122TB 大容量 SSD 市场认可度高。
二、对于存储行业与市场展望
1.供需格局：DRAM/NAND 供应紧张将持续至 2026 年后，2026 年行业 DRAM 位出货量低 20% 左右增长、NAND 约 20% 增长，美光供应增速与行业持平；核心客户需求满足率仅 50%-2/3。
2.AI 核心影响：2026 年 AI 将推动数据中心 DRAM/NAND 位 TAM 首超行业 50%；AI 服务器需求强劲，2026 年服务器整机出货量低双位数增长，DRAM 搭载容量持续提升。
3.终端市场：2026 年 PC / 智能手机整机出货或低双位数下滑，但 AI 驱动存储内容大幅增长（旗舰手机 12GB+ DRAM 占比从 20% 升至 80%，AI PC 推荐 32GB + 配置）。
4.新兴赛道：机器人行业迎 20 年增长周期，人形机器人存储需求媲美 L4 自动驾驶汽车，成新增长极。
三、美光的战略布局与产能扩张
1.客户合作：签署首份 5 年战略客户协议（SCA），替代传统 1 年期 LTA，含明确产能 / 供应承诺，与多家客户洽谈中，深化研发与路线图协同。
2.技术研发：2027 财年将大幅增加研发投入；1δ DRAM 将扩大 EUV 应用，研发与量产协同布局加快产品上市。
3.全球产能：收购力晶铜锣厂区并计划建第二座洁净室（2028 财年出货）；爱达荷、纽约、日本广岛产能建设推进，新加坡新建 NAND 晶圆厂（2028 年量产）；印度封装测试厂已商业出货，新加坡 HBM 先进封装厂 2027 年贡献供应。
美光表示，公司的 HBM4E 将基于美光科技经量产验证的、行业领先的 1γ 制程 DRAM 技术打造，性能将实现跨越式提升，为行业新一代人工智能计算平台提供核心支撑。此外，HBM4D 的定制化选项将为我们带来更多差异化竞争优势，也将推动我们与客户开展更深度的研发合作。
美光科技率先为数据中心研发出低功耗 DRAM（LPDRAM），其功耗仅为数据中心 DDR DRAM 服务器模组的三分之一。依托这一技术领先性，我们推出了行业首款基于 1γ 制程的 256GB 低功耗系统级芯片存储模组（LP SoC-M2），每个中央处理器（CPU）可支持高达 2TB 的存储容量，较一年前提升四倍。
对于存储行情，美光预计，未来几年，低功耗 DRAM 在数据中心的应用将持续扩大，公司也将继续在该市场保持行业领先的创新产品路线图。人工智能的快速发展，推动了针对特定工作负载TOKEN经济优化的新型计算架构的出现。美光科技丰富的产品组合，包括高带宽存储器（HBM）、低功耗存储器（LP）、双倍数据率存储器（DDR）和固态硬盘（SSD），是这些新型架构落地的核心支撑。在本次 GPU 技术大会上，英伟达发布的 Grok 3 LPX 模型在机架级架构中搭载了高达 12TB 的 DDR5 存储器。
受向量数据库、键值缓存卸载等人工智能应用场景，以及固态硬盘在容量存储层占比持续提升等因素驱动，数据中心领域的 NAND 闪存需求正加速增长。依托技术领先性和垂直整合优势，美光科技的数中心固态硬盘产品组合实现了从极致性能到超大容量的全面覆盖。目前，基于第九代 NAND 闪存的 PCIe Gen6 高性能数据中心固态硬盘已实现大规模量产。我们的 122TB 超大容量固态硬盘获得市场高度认可，其单位功耗的连续读取吞吐量是同容量机械硬盘（HDD）的 16 倍。公司的战略布局和运营执行正持续转化为业绩成果。
2025 年，公司数据中心固态硬盘的市场份额连续第四个日历年实现增长，创历史新高。2026 财年第二季度，数据中心 NAND 闪存营收环比翻倍，创历史新高，预计下一季度将继续增长。美光科技的数中心固态硬盘产品组合处于行业领先水平，已在客户群体中斩获大量设计订单。可预见未来，公司 NAND 闪存的需求将大幅超过现有供应能力。
2026 年，受 DRAM 和 NAND 供应短缺等多重因素影响，个人电脑和智能手机的整机出货量或出现低双位数下滑。但长期来看，终端侧人工智能的商业价值将推动个人电脑和智能手机的存储搭载容量持续大幅增长。在个人电脑领域，生成式人工智能应用近期迎来创新爆发，例如 OpenClaw，其人工智能智能体可在本地电脑独立完成任务，也可向云端发起工作负载请求。搭载终端侧生成式人工智能功能的个人电脑，推荐存储配置至少为 32GB，是普通个人电脑的两倍。此外，个人人工智能工作站这一新兴品类增长迅猛，例如英伟达 DGX Spark 和超威锐龙 AI Halo，均搭载 128GB 存储配置，非常适合在本地运行大语言模型。
在智能手机领域，手机厂商近期发布了多款集成生成式人工智能功能的旗舰机型，例如三星 Galaxy S26 和谷歌 Pixel 10，其移动操作系统均内置人工智能功能。2026 年第四季度，搭载 12GB 及以上 DRAM 的旗舰智能手机占比攀升至近 80%，而一年前这一比例不足 20%。依托行业领先的产品组合，美光科技已做好充分准备，把握这一市场机遇。
在个人电脑领域，公司已完成低功耗计算机存储模组 2（LPCAM2）在某主流厂商的认证。在固态硬盘领域，我们推出了行业首款基于第九代 NAND 闪存的第五代客户端四级单元（QLC）固态硬盘。
美光科技的低功耗双倍数据率 5X 存储器（LPDDR5X）已成功导入主流个人人工智能工作站，扩大了公司的目标市场，目前已向核心客户实现大批量出货。在智能手机领域，基于 1γ 制程的低功耗双倍数据率 6 存储器（LPDDR6）样品获得了手机厂商和生态合作伙伴的高度关注与积极反馈。公司的 10.7 Gbps 1γ 制程 LPDDR5X 16Gb 产品已完成更多厂商认证并实现量产，市场势头持续攀升。汽车、工业和嵌入式市场的产品定价持续走高，汽车与嵌入式业务部（AEBU）营收创历史新高，其中汽车和工业业务合计营收在本季度突破 20 亿美元。
在汽车领域，汽车厂商正加速在全系车型中部署 L2 + 级高级驾驶辅助系统（ADAS）。目前，普通汽车的自动驾驶级别多低于 L2，DRAM 搭载容量约 16GB；而具备 L4 级自动驾驶能力的汽车，DRAM 搭载容量需超过 300GB。随着更先进的高级驾驶辅助系统和智能座舱的普及，我们预计汽车存储需求将迎来长期强劲增长。公司推出了行业首款车规级 1γ 制程 LPDDR5 DRAM 样品；在 NAND 闪存领域，我们率先推出基于第九代 NAND 闪存的车规级通用闪存存储 4.1（UFS 4.1）解决方案，进一步巩固了公司在该市场的技术领先地位。
人工智能技术的快速迭代，正大幅提升机器人的功能性能。我们认为，机器人行业即将迎来为期 20 年的增长周期，未来有望成为科技领域最大的产品品类之一。人形机器人将搭载人工智能系统，其计算平台的性能可与高端 L4 级自动驾驶汽车媲美，因此需要超大容量的存储和内存支撑。美光预计，这一极具潜力的新兴增长品类将进一步夯实存储行业长期向好的发展格局。依托行业领先的技术、产品解决方案和运营能力，以及与客户的紧密合作，美光科技已做好充分准备，把握机器人领域的发展机遇。
美光预计2026 年，行业 DRAM 和 NAND 的位需求将持续受供应制约，且这种供应紧张的状况将持续至 2026 年以后。预计 2026 年，行业 DRAM 位出货量将实现低 20% 左右的增长，略高于我们此前的预期。在 DRAM 领域，洁净室产能受限、厂房建设周期长、高带宽存储器（HBM）贸易比提升、HBM 需求增速加快，以及制程节点升级带来的晶圆单位位产出增长放缓等因素，共同制约了位供应的增长。预计 2026 年，行业 NAND 位出货量将增长约 20%。在 NAND 领域，部分行业供应商将洁净室产能转向 DRAM 生产，叠加整体洁净室产能不足，制约了 NAND 位供应的增长。预计 2026 年，美光科技的 DRAM 和 NAND 位供应增速将与行业平均水平基本持平。
为解决供需之间的巨大缺口，美光科技正积极推进全球产能布局，本季度已取得多项重要里程碑式进展。在 DRAM 领域，本周早些时候，我们宣布提前完成对力晶半导体铜锣厂区的收购。预计该厂区现有晶圆厂将在 2028 财年实现可观的产品出货。除现有晶圆厂外，我们计划 2026 年前在该厂区开工建设同等规模的第二座洁净室。爱达荷州的首座晶圆厂预计 2027 年年中实现首批晶圆量产，目前第二座晶圆厂的场地准备工作已启动。纽约基地的首座晶圆厂已破土动工，场地前期准备工作进展顺利，超出预期。在日本，广岛基地的洁净室扩建项目场地准备工作进展良好，该项目将为公司未来的技术节点升级提供产能支撑。
在 NAND 领域，基于市场需求预期上调，以及公司决定将研发洁净室与量产晶圆厂协同布局的战略考量，我们计划在新加坡基地开工建设一座新的 NAND 晶圆厂，预计 2028 年实现首批晶圆量产。
美光预计 2027 财年，公司资本支出将大幅增加，主要用于高带宽存储器（HBM）和 DRAM 相关投资。2027 财年，公司厂房建设相关资本支出预计同比增加超 100 亿美元，主要用于全球晶圆厂建设，以满足市场长期需求。此外，2027 财年的设备采购支出预计也将同比增加。在进行这些投资的同时，我们将持续关注市场环境和客户需求，合理调整供应计划。接下来，由马克为大家介绍 2026 财年第二季度的财务业绩和业绩指引。
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